Intel代工从生存转向进攻！14A制程缺陷密度快速降低：创22nm以来最佳

根据Intel技术路线图，生存速降Intel 14A较18A实现全面跃升，转向A制最佳“自22nm以来，进攻外部客户的程缺态度也发生了转变，”22nm是陷密Intel首个导入FinFET架构的制程节点，这一比较聚焦于14A开发阶段的代度快低创缺陷下降轨迹，

Zinsner表示，生存速降并规划导入High-NA EUV光刻设备。转向A制最佳我们没有见过这样的表现。如今开始询问“能拿到多少产能”“生产安排时间如何”。芯片密度最高增加30%。Intel CFO David Zinsner近日在德意志银行2026科技大会上宣布，或在相同性能下降低25%至35%功耗，被公认为公司历史上最成功的制程之一。Intel内部芯片设计团队已开始基于14A开发产品，

8月31日消息，14A在相同功耗下性能预计提升15%至20%，外部代工客户态度已从技术评估转向产能问询。

规格方面，采用第二代RibbonFET环绕栅极晶体管、

Zinsner还透露，

他以22nm作为参照称，下降速度也超过此前多个制程节点。