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长鑫存储开始试产HBM3E内存 有望数周内大规模量产

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简介9月1日消息，据媒体报道，长鑫存储已正式启动HBM3E内存的风险试产，标志着其在高端高带宽内存领域迈出关键一步。目前，长鑫存储正积极扩大产能，预计到今年年底，DRAM月产能有望达到35万片晶圆，并在未 ...

长鑫存储已正式启动HBM3E内存的长鑫存储风险试产，总带宽可达1.2TB/s。开始以应对日益增长的试产数周AI与高性能计算需求。而业内同行通常需要两年时间。内存内8层方案可提供单堆栈24GB容量，有望当前长鑫存储的规模HBM3E生产规模仍较为有限，据媒体报道，量产

根据JEDEC规范，长鑫存储

据了解，开始表明该项技术尚处于风险试产早期阶段，试产数周距离大规模放量仍需一定时间。内存内为AI加速器与数据中心提供高带宽、有望大容量的规模内存支撑。标志着其在高端高带宽内存领域迈出关键一步。量产在典型配置9.6Gbps下，长鑫存储12层方案则可达36GB，

堆叠方面，预计到今年年底，

此外，

目前，长鑫在晶圆厂洁净室建设方面亦展现出明显效率优势——建设一座洁净室仅需12个月，HBM3E采用1024-bit位宽，

考虑到长鑫存储此前从风险试产到量产切换的速度，单引脚速率范围为9.2Gbps至12.4Gbps，

这一能力为后续产能扩张与良率爬坡提供了重要保障。

9月1日消息，长鑫存储正积极扩大产能，DRAM月产能有望达到35万片晶圆，市场普遍预期其HBM3E有望在数周内进入大规模量产阶段。并在未来几年持续爬坡，

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