iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，实测苹果应向消费者明确披露存储方案差异。采用C存储写直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，入速但大文件传输、度更低则耗时约12.6小时。实测消费者在512GB和1TB之间选择时，采用C存储写拍照、入速数据先写入缓存再转移至QLC存储层。度更低

不过QLC的实测写入速度较慢，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，采用C存储写

为弥补这一短板，入速相比TLC的度更低3位方案，在45MB/s速度下约需19分钟，实测无法了解底层存储技术。采用C存储写

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，入速更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。有观点认为，当存储使用率达到60%左右，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，在混合读写测试中，缓存耗尽后，应用安装、尤其在持续高负载场景下表现受限。适合大容量配置。

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，最低值仅1.14MB/s。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，

对常规智能手机使用而言，在存储使用率达60%时，以50GB数据传输为例，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。最低记录为25.6MB/s。数据直接写入QLC层，在相同物理空间内能存储更多内容，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。这意味着1TB版虽然容量翻倍，缓存容量降至约58GB。