捅破AI存储天花板！闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存：1Tb容量+4.8Gb/s

其一是捅破天花CMOS直接键合到阵列技术，该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，存储出层通过优化存储单元的板闪排列布局来提升密度。再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。迪铠采用332层堆叠设计。侠联较BiCS8提升了33%。手推闪存输出功耗降低34%。容量

能效表现方面，捅破天花推理及大规模云工作负载设计。存储出层这两项技术的板闪成熟与迭代，

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，迪铠其中数据中心领域增速达46%。侠联写入能效提升18%，手推闪存读取能效提升30%。容量

性能方面，捅破天花

其二是间距选择栅极漏极技术，位密度提升59%，输入功耗较BiCS8降低10%，BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，目前没有公布具体的单颗售价。第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。

7月3日消息，实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。闪迪与铠侠联合宣布，首款产品为1Tb TLC型号，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。专为AI训练、

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，SCA协议及PI-LTT低功耗技术。BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。

技术层面，